RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
17.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
46
Wokół strony -156% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
18
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3814
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link