RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
44
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
35
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
2982
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G2139U2 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link