RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
44
Wokół strony -76% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
3001
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link