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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
比较
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
总分
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
差异
规格
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差异
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
44
左右 -76% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
25
读取速度,GB/s
12.3
17.2
写入速度,GB/s
7.8
13.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1977
3001
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
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Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
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