RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
54
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
54
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
2583
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Mushkin 991586 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link