RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
48
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
48
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
2852
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link