RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.3
11
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
44
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
11.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
2622
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Golden Empire 2GB DDR2 800 CAS=4 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link