RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Porównaj
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
41
Wokół strony -95% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
10.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
21
Prędkość odczytu, GB/s
10.7
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1335
3042
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston 9905403-170.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link