RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
44
Wokół strony -52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
3757
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link