RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
44
Wokół strony -110% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.4
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.6
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
21
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
21.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
19.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
4293
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link