RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,378.6
12.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
62
Wokół strony -158% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,670.6
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,378.6
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
861
2852
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link