RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Comparar
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,378.6
12.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
62
Por volta de -158% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
24
Velocidade de leitura, GB/s
4,670.6
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,378.6
12.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
861
2852
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB Comparações de RAM
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 9905403-038.A00G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link