RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
44
Wokół strony -76% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.3
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
18.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
3731
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link