RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
44
Wokół strony -16% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
38
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
3206
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link