RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
44
Wokół strony -57% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
2443
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Jinyu 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link