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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Compara
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
44
En -57% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.8
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.7
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
8.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1977
2443
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
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