RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
44
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
35
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
2767
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link