RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
44
Wokół strony -57% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
13.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
2757
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology C 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link