RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
65
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
1,711.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,018.7
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,711.1
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
513
3436
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link