RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
24
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
21
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3226
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Team Group Inc. 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Lenovo 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link