RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
24
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
21
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3226
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link