RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
77
Wokół strony -250% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3310
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link