RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
65
Wokół strony -141% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
1,711.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,018.7
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,711.1
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
513
3587
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link