RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
65
Wokół strony -132% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.4
1,711.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,018.7
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,711.1
17.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
513
3963
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link