RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
44
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
2594
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link