RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
65
Wokół strony -124% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
1,711.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,018.7
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,711.1
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
513
2708
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link