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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB

总分
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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

总分
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Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB

Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB

差异 规格 评论

差异

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB 需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
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  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 15.8
    测试中的平均数值
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB 需要考虑的原因
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    29 left arrow 65
    左右 -124% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    10.2 left arrow 1,711.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 6400
    左右 3.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    65 left arrow 29
  • 读取速度，GB/s
    4,018.7 left arrow 15.8
  • 写入速度，GB/s
    1,711.1 left arrow 10.2
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    513 left arrow 2708

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB RAM的比较

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Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB RAM的比较

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
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内存RAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
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内存RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
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内存RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
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内存RAM
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
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Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
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内存RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
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内存RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
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内存RAM
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
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InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
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内存RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
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Kingston KP4T2F-PSB 4GB
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Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
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