RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,978.2
13.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
66
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
31
Prędkość odczytu, GB/s
2,929.1
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,978.2
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
511
3318
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Mushkin 996902 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link