RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,978.2
16.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
66
Wokół strony -164% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.1
2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
25
Prędkość odczytu, GB/s
2,929.1
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,978.2
16.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
511
4060
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Samsung M471B1G73CB0-CK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link