RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,978.2
13.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
66
Wokół strony -200% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
22
Prędkość odczytu, GB/s
2,929.1
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,978.2
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
511
3007
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link