RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
66
Wokół strony -106% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.2
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.8
2,978.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
32
Prędkość odczytu, GB/s
2,929.1
9.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,978.2
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
511
2017
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link