RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
pl
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

Różnice Specyfikacje Uwagi

Różnice

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Zgłoś błąd
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    2 left arrow 16.7
    Średnia wartość w badaniach
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Zgłoś błąd
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    62 left arrow 66
    Wokół strony -6% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    7.0 left arrow 2,978.2
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    19200 left arrow 6400
    Wokół strony 3 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    66 left arrow 62
  • Prędkość odczytu, GB/s
    2,929.1 left arrow 16.7
  • Prędkość zapisu, GB/s
    2,978.2 left arrow 7.0
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • Opis
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Taktowanie / szybkość zegara
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    511 left arrow 1808

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Porównanie pamięci RAM

OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB

Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB Porównanie pamięci RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Pamięć RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Pamięć RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Pamięć RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Pamięć RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
INTENSO 4GB
INTENSO 4GB
Pamięć RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Pamięć RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Pamięć RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Pamięć RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Pamięć RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Pamięć RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Pamięć RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Pamięć RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Pamięć RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Pamięć RAM