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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

Pontuação geral
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Pontuação geral
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Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

Diferenças Especificações Comentários

Diferenças

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Razões a considerar
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    2 left arrow 16.7
    Valor médio nos testes
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB Razões a considerar
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Relatar um erro
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    62 left arrow 66
    Por volta de -6% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    7.0 left arrow 2,978.2
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 6400
    Por volta de 3 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    66 left arrow 62
  • Velocidade de leitura, GB/s
    2,929.1 left arrow 16.7
  • Velocidade de escrita, GB/s
    2,978.2 left arrow 7.0
  • Largura de banda de memória, mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • Descrição
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    511 left arrow 1808

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Comparações de RAM

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Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB Comparações de RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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