RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,076.1
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
59
Wokół strony -111% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,723.5
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,076.1
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
741
3601
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link