RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,076.1
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
59
Wokół strony -195% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
20
Prędkość odczytu, GB/s
4,723.5
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,076.1
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
741
3088
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Elpida EBE21UE8AFSA-8G-F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link