RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
22.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,076.1
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
59
Wokół strony -127% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,723.5
22.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,076.1
17.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
741
3962
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link