RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
59
79
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.8
2,076.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
79
Prędkość odczytu, GB/s
4,723.5
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,076.1
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
741
1330
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link