RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,076.1
14.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
59
Wokół strony -111% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,723.5
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,076.1
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
741
3546
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link