RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
59
Wokół strony -136% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
2,076.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,723.5
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,076.1
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
741
2542
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link