RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Porównaj
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
57
Wokół strony -104% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
6.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
5.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
57
28
Prędkość odczytu, GB/s
6.8
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
5.5
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1244
3693
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Jinyu 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link