RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
59
101
Wokół strony 42% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
12.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.7
2,076.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
101
Prędkość odczytu, GB/s
4,723.5
12.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,076.1
6.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
741
1382
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link