RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
16.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
77
Wokół strony -133% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
20.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3500
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link