RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wynik ogólny
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
59
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
2,076.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,723.5
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,076.1
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
741
2496
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link