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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Compara
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Puntuación global
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
59
En -97% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.7
2,076.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
30
Velocidad de lectura, GB/s
4,723.5
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,076.1
9.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
741
2496
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
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