RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,076.1
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
59
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
38
Prędkość odczytu, GB/s
4,723.5
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,076.1
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
741
3005
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB Porównanie pamięci RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link