RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
12.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
71
Wokół strony -122% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
32
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
12.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2478
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link