RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,076.1
12.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
59
Wokół strony -168% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
22
Prędkość odczytu, GB/s
4,723.5
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,076.1
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
741
3075
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link