RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
59
73
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
2,076.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
73
Prędkość odczytu, GB/s
4,723.5
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,076.1
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
741
1724
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link