RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
62
Wokół strony -195% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.6
1,658.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
21
Prędkość odczytu, GB/s
4,216.7
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,658.4
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
688
2337
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link