RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Wynik ogólny
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
62
Wokół strony -121% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
1,658.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,216.7
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,658.4
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
688
3217
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link