Porównanie pamięci RAM G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

Wynik ogólny

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

26 28

Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

17.8 14.3

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

15.7 11.4

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

19200 17000

Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma

Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

Pełna lista specyfikacji technicznych

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara

no data / 2400 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

3867 2481

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns